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[汽車之家新聞] 據(jù)了解，德國企業(yè)博世目前正在研發(fā)碳化硅（SiC）半導(dǎo)體，用以進一步提升電動車的能源使用效率，預(yù)計該半導(dǎo)體材料將于2020年開始投產(chǎn)。

碳化硅被業(yè)界普遍認(rèn)為是下一代功率半導(dǎo)體材料，它具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率的優(yōu)勢。相比如今的IGBT功率半導(dǎo)體，它的發(fā)熱更低，效率更高，節(jié)省的能耗能夠為電動車帶來約6%的續(xù)航里程提升。

如今，電動車企普遍依靠提升電池容量的方式來增加續(xù)航里程，然而受限于電池技術(shù)的發(fā)展速度以及成本，電動車企已經(jīng)很難再通過此方法獲得顯著的續(xù)航提升，且要面臨較高的安全風(fēng)險。在這樣的背景下，如何提升電動車的能源使用效率，降低能耗成為業(yè)界提升電動車?yán)m(xù)航的另一個思路。目前，特斯拉在Model 3以及新款Model S、Model X車型的驅(qū)動系統(tǒng)電控單元上，率先采用了碳化硅半導(dǎo)體，并帶來了出色的能耗表現(xiàn)。博世或許正是看到了碳化硅半導(dǎo)體長遠的發(fā)展前景，所以開始著力研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體，但它也存在制造成本過高的問題，有待制造商解決。（消息來源：slashgear；編譯/汽車之家 胡永彬）